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在各種基材表面合成垂直排列的碳納米管的裝置介紹

發(fā)布時(shí)間:2024-06-21 點(diǎn)擊量:668

在各種基材表面合成垂直排列的碳納米管的裝置介紹

臺(tái)式CNT合成設(shè)備

∞ MPCNT-基本 ∞

可以輕松生產(chǎn)CNT的CVD設(shè)備

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*實(shí)際產(chǎn)品可能與照片略有不同。

目的 :這是一種以乙醇為原料,在各種基材表面合成垂直排列的碳納米管的裝置。
特征 :
  •  使用乙醇作為碳源 → 無需易燃碳?xì)浠衔餁馄?/span>

  •  CNT生長時(shí)間僅需幾分鐘→總處理時(shí)間約為30分鐘

  •  約電腦大小,可安裝在任何地方使用

  •  簡單、便宜、高質(zhì)量的CNT → 可用作學(xué)生實(shí)驗(yàn)的教材


在 Si 襯底上垂直生長的 CNT 的 SEM 圖像

 乙醇是生產(chǎn)碳納米管方便的原料之一。具有容易生成單壁碳納米管和高結(jié)晶碳納米管的特點(diǎn)。此外,由于其分解溫度低于烴類氣體,且具有較強(qiáng)的還原作用和催化劑反應(yīng)活性,因此可用于將SUS、NiCu等大塊合金材料中的催化元素(Ni、Fe、Co)轉(zhuǎn)化為納米粒子具有催化作用,可以沉淀并直接生長成碳納米管或碳納米纖維。

 具有高結(jié)晶度的垂直排列碳納米管可以生長在各種基材(硅、石英、不銹鋼、金屬、陶瓷等)和載體上。體積小巧,操作方便,整個(gè)過程僅需30分鐘左右。通過使用透明玻璃室,還可以直接觀察CNT形成的時(shí)刻。

 需要注意的是,為了生長排列整齊的碳納米管,通常需要提前在樣品基底上沉積催化劑膜,但某些合金基底(例如Ni和Fe)除外。我們還提供帶有催化劑膜的基材作為消耗品。催化薄膜沉積也可以使用您自己的薄膜沉積設(shè)備進(jìn)行。

 如果您想要一個(gè)從催化劑形成到 CNT 生長的獨(dú)立系統(tǒng), 我們推薦MPCNT-Premium高性能真空蒸發(fā)設(shè)備。

主要規(guī)格

基本配置主體

耐熱玻璃室

吹掃氣體引入線

排氣泵管路

泄漏線

真空計(jì)

當(dāng)前引入終端端口

外形尺寸:W400mm x H300mm x D265mm


加熱器

25毫米×40毫米

常規(guī)使用溫度:400-800℃

電源

額定輸出功率:400W

AC90-250V 單相 50-60Hz

外形尺寸:W110mm x H130mm x D405mm

排氣泵

旋轉(zhuǎn)泵

外形尺寸:W156mm x H200mm x D300mm





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